Las palabras "memoria flash" están ahora en boca de todos. Incluso los estudiantes de primer grado a menudo usan el término "unidad flash" en una conversación. Esta tecnología con una velocidad increíble ha ganado popularidad.
Además, muchos analistas predicen que enPronto memoria flash, reemplazará por completo los dispositivos de almacenamiento basados en discos magnéticos. Bueno, solo queda observar el progreso del progreso y disfrutar de sus beneficios. Sorprendentemente, muchas personas, hablando de esta novedad, no saben prácticamente nada de lo que es la memoria flash. Por un lado, el usuario necesita que el dispositivo funcione, pero la forma en que realiza sus funciones es la décima cosa. Sin embargo, tener al menos una idea general es necesaria para cada persona educada.
¿Qué es memoria flash?
Como se sabe, hay varios tipos de computadorasdispositivos de memoria: módulos de RAM, discos duros y discos ópticos. Las dos últimas son soluciones electromecánicas. Pero la RAM es un dispositivo completamente electrónico.
Es un conjunto de transistores, ensambladosen un chip de un chip especial. Su peculiaridad radica en el hecho de que los datos se almacenan siempre que el voltaje se aplique al electrodo de la base en cada tecla controlada. Este punto lo consideraremos con más detalle más adelante. La memoria flash de esta falta se ve privada. El problema de almacenar una carga sin aplicar un voltaje externo se resolvió con la ayuda de transistores con una puerta flotante. En ausencia de influencia externa, la carga en un dispositivo de este tipo se puede mantener durante un tiempo suficientemente largo (al menos 10 años). Para explicar el principio del trabajo, debe recordar los conceptos básicos de la electrónica.
¿Cómo está dispuesto el transistor?
Estos elementos han llegado a ser tan ampliamente utilizados que raramente, donde no se usan.
Incluso en el interruptor de luz banal, a vecesestablecer claves administradas ¿Cómo está dispuesto el transistor clásico? Se basa en dos materiales semiconductores, uno de los cuales tiene conductividad de electrones (n) y el otro es orificio (p). Para obtener el transistor más simple, es necesario conectar los materiales, por ejemplo, en forma de n-p-n y conectar un electrodo a cada bloque. Un voltaje (emisor) se aplica a un electrodo final. Se puede controlar cambiando el valor del potencial en la salida del medio (base). La eliminación se produce en un colector: el tercer contacto extremo. Obviamente, si la tensión base desaparece, el dispositivo volverá al estado neutral. Pero el dispositivo de un transistor con una puerta flotante, subyacente a las unidades de memoria flash, es ligeramente diferente: antes de que el material semiconductor de la base se coloque una fina capa de dieléctrico y una puerta flotante, juntos forman el llamado "bolsillo". Al aplicar un voltaje positivo a la base, el transistor se abrirá, dejando pasar la corriente, que corresponde a cero en la lógica. Pero si coloca una sola carga (electrón) en el obturador, entonces su campo neutraliza la influencia del potencial base: el dispositivo se rechazará cerrado (unidad lógica). Al medir la tensión entre el emisor y el colector, es posible determinar la presencia (o ausencia) de la carga en la puerta flotante. La carga se coloca en la puerta utilizando el efecto túnel (Fowler - Nordheim). Para eliminar la carga, es necesario aplicar un voltaje negativo alto (9 V) a la base y un voltaje positivo al emisor. La carga saldrá del obturador. Como la tecnología evoluciona constantemente, se sugirió combinar un transistor convencional y una opción de compuerta flotante. Esto permitió "limpiar" la carga con un voltaje más bajo y producir dispositivos más compactos (no hay necesidad de aislar). La memoria flash USB usa este principio (estructura NAND).
Por lo tanto, combinando tales transistores enbloques, fue posible crear una memoria en la que los datos grabados se guardan teóricamente sin cambiar durante decenas de años. Quizás el único inconveniente de las unidades de memoria flash modernas es la limitación en el número de ciclos de reescritura.
